个人简介
2002年6月 本科毕业于山东师范大学
2007年6月 硕博连读，博士毕业于南京大学，导师陈坤基教授
2007年7月至今 伟德国际victor1946
电子邮件：535366073@qq.com
通讯地址：山东省曲阜市静轩西路57号，邮编：273165
办公地址：激光所楼311
教学情况
主要从事物理学、光科专业教学；讲授过本科生课程：偏光物理与偏光技术，现代物理实验方法、电路分析、普物实验等；讲授过研究生课程：薄膜光学，偏光物理与器件，现代光学专业实验等。指导的研究生曾获省优秀硕士学位论文，省优秀毕业生，山东省研究生优秀科技创新成果奖，校圣地英才奖，校优秀学位论文，校优秀毕业研究生等。
研究方向
主要致力于椭圆偏振光谱测量技术，包括功能薄膜材料的制备，基于椭偏光谱的材料表征分析技术等。
科研项目
1.国家自然科学基金青年项目, 亚氧化硅薄膜晶化临界点微结构与发光性质研究, 主持
2.国家自然科学基金面上项目，实际流体和2－9维硬球流体的物态方程理论研究，参与
3.国家自然科学面上项目，GSMBE 1.55微米InAs/InGaAsP量子点激光器材料与器件，参与
4.国家自然科学基金青年项目, PERS定向散射机理及其应用,参与
代表性论著
1.Yun Meng, Peigao Han* , Liangcai Wu*, Dianzhong Hao, Zhitang Song, Bo Liu, Zhongyuan Ma, Ling Xu, Lianke Song,Fast reversible switching Sb2Te–SiNx fifilms with high thermal stability,Materials Letters 163 (2016) 201–204.
2.Yun Meng，Xilin Zhou，Peigao Han*，Zhitang Song，Liangcai Wu*，Chengqiu Zhu，Wenjing Guo Ling Xu，Zhongyuan Ma，Lianke Song，Study on WSb3Te material for phase-change memory applications，Applied Surface Science，2015，（355）：667-671.
3. P G Han*, Z Y Ma, Z B Wang and X Zhang，Photoluminescence from intermediate phase silicon structure and nanocrystalline silicon in plasma enhanced chemical vapor deposition grown Si/SiO2 multilayers，Nanotechnology 19 (2008) 325708.
4. P G Han, Z Y Ma*, Z Y Xia, D Y Chen, D Y Wei, B Qian, W Li, J Xu, X F Huang, K J Chen and D Feng，Intermediate phase silicon structure induced enhancement of photoluminescence from thermal annealed a-Si/SiO2 multilayers，Nanotechnology 18 (2007) 255703.
5. Han peigao，Ma Zhong-Yuan*，Xia Zheng-Yue，Chen De-Yuan，Xu Jun，Qian Bo，Chen San，Li Wei，Huang Xin-Fan，Chen Kun-Ji，Feng Duan，nanocrystal silicon induced luminescence enhancement in a-Si/SiO2 multilayers，Chinese Physics，2007，16（5）：1410-1416.
6.一种基于介质膜偏振直角分束棱镜的偏振光导航方法，发明专利，2020.1.
7.一种波片快慢轴检测方法，发明专利，2019.2.
8.一种相变存储器选通管及其存储单元，发明专利，2018.3
