报告题目：单层OsBi2中巨大的逆Rashba-Edelstein 效应
报告人：郝宁（中国科学院合肥物质科学研究院，强磁场科学中心）
报告时间：2021年4月14日（周三），上午9:00-10:00
报告地点：物理楼 313 教室
邀请人：张平教授
报告摘要：高效地操控自旋流与电流的相互转换是自旋电子学中非常重要的研究课题。对于三维体系一般是通过（逆）自旋霍尔效应，对于二维体系一般通过（逆）Rashba-Edelstein 效应。由于自旋轨道耦合在这种转换中具有重要的作用，因此，通常的二维候选体系主要包括异质结界面Rashba体系和拓扑绝缘体界面，并且人们一直在努力提高这两个体系中自旋与电荷的转换效率。但是，这两类体系一些内在的缺点限制了转换效率。这里，我们提出了第三种体系，它具反常的Rashba能带结构，可以产生一种新的机制以实现通常两种体系的十倍左右的高转换效率。更重要的是，我们通过第一性原理计算预测单层OsBi2属于该种类型的体系。其纯体态特征可以克服异质界面体系和拓扑绝缘体的缺点，使单层OsBi2成为实现巨大的逆Rashba-Edelstein 效应的理想材料，并在自旋电子学中有潜在的应用。
报告人简介：郝 宁，中国科学院合肥物质科学研究院，强磁场科学中心研究员，中国科学技术大学博士生导师；2006年本科毕业于山东大学；2011年博士毕业于中科院物理所；2011年到2016年在美国和香港做博士后研究；2016年得到中科院“百人计划”项目支持加入强磁场中心；2020年得到基金委“优青”基金项目支持。研究领域主要包括（1）强关联和高温超导体系基本理论（2）拓扑物态的理论与计算，目前在Phys. Rev. X, Phys. Rev. Lett, Phys. Rev. B，Nat. Comm.等学术期刊发表论文40多篇。
