2016年11月3日上午，山东大学杨再兴教授为我院师生作了题为“High performance III-V group semiconductor nanowires electronics”的学术报告。
杨再兴教授围绕硅半导体器件性能接近极限的问题，开发了硫表面活性剂消除表面缺陷技术，合成了目前报道的最佳性能的GaSb纳米线新材料，为高性能微电子产品提供了材料保障；同时，瞄准纳米材料原位表征的技术难点，发明了基于多层接触印刷的原位组装与表征技术，揭示了GaAs纳米线表面缺陷对光伏性能的影响规律，以及不同生长方向的III-V纳米线的光伏特性。
报告结束后，杨再兴教授与我院师生进行了热烈的交流和讨论，对我院研究生的成长起到了很好的激励作用。
附报告人简介:
杨再兴，博士，山东大学教授、博士生导师、齐鲁青年学者。2007年在伟德国际1946源于英国获学士学位，2012年在南京大学物理学院获博士学位，2012年9月至2016年9月在香港城市大学做博士后工作。2016年6月申请并通过山东大学“齐鲁青年学者”计划，并于10月入职山东大学微电子学院。主要研究低维半导体纳米材料的可控生长及光电性能。迄今为止，共发表SCI论文32篇，其中作为第一作者发表SCI论文16篇，一区期刊6篇，包括1篇Nat. Commun.，1篇ACS Nano，2篇Nanoscale，2篇ACS Appl. Mater. Inter.，影响因子3以上的论文13篇。已授权中国专利4项。受邀为多个SCI期刊审稿。
